4. 高密度RFプラズマによる高速・高選択比SiO_2エッチングと反応機構 (<小特集>ドライエッチング用プラズマ)
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概要
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High rate and highly selective SiO_2/Si etching was intensively studied employing two types of high density RF plasmas; helicon wave plasma (HWP) and inductively coupled plasma (ICP). Both in the diffusive region of ICP and in the time-modulated HWP, the high etching selectivities could be obtained with keeping fairly high rates in C_4F_8/H_2 gas system. The condition for the high selectivity was found to be carbon-rich in gas phase as well as in the deposited polymer film even in the hole bottom. The role of H_2 addition to C_4F_8 was very crucial to polymer deposition not only in its rate but also in feature, making the deposition conformal.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 1995-08-25
著者
-
堀池 靖浩
物質･材料研究機構
-
進藤 春雄
東海大学工学部応用物理学科
-
堀池 靖浩
東洋大学工学部
-
進藤 春雄
東海大 工
-
Horiike Yasuhiro
Faculty Of Engineering Toyo University
-
Horiike Yasuhiro
National Institute For Materials Science
-
Horiike Yasuhiro
Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Horiike Yasuhiro
Department Of Electrical Engineering Toyo University
-
堀池 靖浩
広島大工
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