水素+水蒸気プラズマダウンフローへのNF_3添加によるシリコン表面の自然酸化膜除去
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概要
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水素+水蒸気プラズマダウンフローにNF_3を添加して、シリコン表面上の自然酸化膜を除去した。6インチシリコンウェーハ上の自然酸化膜を4 5秒で除去した。FT-IR ATR測定から、本ダウンフロー処理後の表面ラフネスは2%フッ酸処理と同程度と考えられる。シリコンエピタキシャル成膜の前処理として本ダウンフロー処理を用いて、積層欠陥のないエピタキシャル膜が得られた。本ダウンフロー処理では処理温度が100℃以下、また、前処理後、エピタキシャル成膜までの間、ウェーハを大気中搬送したにもかかわらず、in-situ水素アニールで前処理を行った場合と同程度の効果が得られた。
- 1996-04-25
著者
-
堀池 靖浩
物質･材料研究機構
-
菊地 純
富士通(株)
-
堀池 靖浩
東洋大学工学部
-
藤村 修三
一橋大イノベーション研
-
矢野 弘
富士通(株)製造技術開発部
-
藤村 修三
富士通(株)
-
長坂 光明
富士通(株)製造技術開発部
-
藤村 修三
富士通株式会社
-
藤村 修三
富士通基礎プロセス開発部
-
Horiike Yasuhiro
Faculty Of Engineering Toyo University
-
Horiike Yasuhiro
National Institute For Materials Science
-
Horiike Yasuhiro
Research Center For Integrated Systems Hiroshima University:(present Address)department Of Electrica
-
Horiike Yasuhiro
Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Horiike Yasuhiro
Department Of Electrical Engineering Toyo University
-
藤村 修三
東工大
-
堀池 靖浩
広島大工
-
藤村 修三
東京工業大学
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