スパッタ法により作製したインジウム添加硫化亜鉛膜の構造と電気的特性

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
RFマグネトロンスパッタ法により作製したIn添加ZnS膜について、X線回折、走査型電子顕微鏡観察、ホール測定、光透過率測定、オージェ電子分光分析、X線光電子分光分析を用いて評価した。X線回折から、アルゴンガス圧力1mTorrで作製した膜はウルツ鉱構造または閃亜鉛鉱構造のZnSであった。AES分析によってアルゴンガス圧力4mTorrの試料は、Zn_1.00 In_0.07 S_0.14 O_0.85の組成であることが分かった。AES分析とXRD測定の結果、アルゴンガス圧力3〜5mTorrの膜は閃亜鉛鉱構造型ZnSよりもウルツ鉱構造型ZnOに近いと考えられた。ホール測定結果から、Arガス圧力3〜5mTorrの試料は約0.01Ω・cmの抵抗率を示し、キャリア密度が2×10^<20>cm^<-3>、移動度が2〜5cm^2・V^<-1>・s^<-1>であることが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-07-26

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク