酸化膜中のGeナノ結晶成長とその電気的特性評価
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概要
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窒素ガス雰囲気中、600℃〜1000℃で有機金属分解法(MOD)によりシリコン酸化膜中にゲルマニウム微結晶を形成し、シリコン酸化膜/ゲルマニウム/シリコン酸化膜量子井戸構造を作製した。as-depositedでは、ゲルマニウムは非晶質状態であったが、アニールによってゲルマニウムは酸化膜中で結晶化した。また、ゲルマニウム微結晶のサイズは5nm以下となり、アニール温度の上昇に伴ってゲルマニウムの結晶化がさらに進むことが分かった。900℃以上のアニールでは、よりよい電気的特性(C-V特性)を示した。したがって、シリコン酸化膜中にゲルマニウム微結晶を成長させることによりデバイスへの応用が十分期待できるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-06
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