ペンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用
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概要
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真空蒸着法によりペンタセン薄膜を形成し,X線回折法および原子間力顕微鏡により膜構造を観察した.次にペンタセンを用いた有機薄膜トランジスタ(OTFT)を作製し基本動作の確認を行った,作製したOTFTは最大で1.57×10^<-1>cm^2/Vsのキャリア移動度が得られた.さらに,ペンタセンOTFTを用いてメモリデバイスの作製を試みた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-28
著者
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