有機金属分解法により形成した酸化タンタル薄膜の構造と電気的特性(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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本研究では、高品質の酸化タンタル(Ta_2O_5)薄膜を得る目的で、有機金属分解(MOD)法を用いて、酸化タンタル(Ta_2O_5)-テトラエトキシシラン(TEOS: (Si(OC_2H_5)_4 )複合膜をシリコン(Si)基板上に成膜した。結晶性を評価した結果、アニール温度の上昇とともに結晶化が進み、またTEOS比率を高くすることで結晶化が抑えられた。電気的特性ではTEOS比率を高くすることで比誘電率は減少し、リーク電流は減少した。本研究の結果では、900℃でアニールした0.88Ta_2O_5-0.12TEOS膜が最も良好な電気的特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-25
著者
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