急速熱酸化技術による極薄NO酸窒化膜の形成
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概要
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急速熱酸化(RTO)技術を用いて、一酸化窒素(NO)雰囲気中で酸窒化温度、酸窒化時間をパラメータとして、極薄酸窒化膜を形成した。NO酸窒化膜の成長においては、膜厚な時間の増加とともに飽和する傾向を示し、通常のDeal-Groveによる直線二乗則には従わないことがわかった。そのため、酸化成長サイトが時間とともに減少するモデルを導入した。化学エッチングによる、膜の深さ方向の組成変化の評価において、バルク中と酸窒化膜-シリコン界面付近とでのエッチングレートに違いが見られた。これらのことから、酸窒化膜/シリコン界面では窒素偏析層が存在し、それが酸化種の拡散を抑制していることが明らかとなった。
- 1998-08-06
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