CPM2000-89 有機金属分解法を用いたチタン酸鉛薄膜形成と電気的特性評価
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概要
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近年、ゲート部分に強誘電体材料を用いたFET型不揮発性メモリが注目を集めている。本研究では、FET型不揮発性メモリに着目し、有機金属分解法(MOD)で形成したチタン酸鉛(PbTiO_3)をゲート絶縁膜としたMFIS構造を作製した。また、SiとPbTiO_3膜のバッファ材料として、シリコン酸化膜(SiO_2)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)、酸化イットリウム(Y_2O_3)を検討した。その結果、PbTiO_3の強誘電性はほとんど失われていることが確認されたが、バッファ層にSrTiO_3又はY_2O_3を用いると非誘電率が増大(ε>240)することが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
余湖 広充
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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