CPM2000-74 有機金属分解法を用いた酸化イットリウム薄膜形成と電気的特性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本研究では、有機金属分解(MOD)法を用い、N_2、O_2、N_2Oの3種類のアニール雰囲気により酸化イットリウム(Y_2O_3)薄膜形成した。また、Y_2O_3膜の性能を評価するため、XRD Pattern、C-V特性およびI-V特性の測定を行った。この結果、形成したY_2O_3膜はアニール温度が低温のときアモルファス状態となり、高温になるに従って結晶化が進行し900℃で最も結晶化していることがわかった。しかしながら、I-V特性から結晶化が進むとリーク電流の増大してしまうことも明らかとなった。そこで、最適条件を比誘電率×絶縁破壊強度で定義し検討した結果、本研究ではN_2雰囲気中、600℃でアニールしたY_2O_3膜の電気的特性が最も良好であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-17
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
村上 大輔
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
関連論文
- 白金一酸化タングステンゲートMOSFET型COガスセンサの応答特性
- RFスパッタ法で作製した不均一AIドープZnO薄膜の結晶状態と電気特性との関係
- ペンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用
- ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用
- ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- CPM2000-74 有機金属分解法を用いた酸化イットリウム薄膜形成と電気的特性評価
- CPM2000-73 白金-酸化タングステンゲートMOSFET型ガスセンサの試作
- ヘテロ原子含有置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用
- ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- Application of Ta_2O_5 based composites as a gate dielectric
- マグネトロンスパッタ法により作製したZnO膜の構造と組成
- 有機金属分解によるチタン酸鉛薄膜の構造と電気的特性
- 有機金属分解法による酸化タンタル薄膜の構造と電気的特性
- スパッタ法により作製したインジウム添加硫化亜鉛膜の構造と電気的特性
- シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶における光学および電気的特性
- 有機金属分解による酸化イットリウム薄膜の構造と電気的特性
- 有機金属分解による酸化チタン薄膜の構造と電気的特性
- CPM2000-89 有機金属分解法を用いたチタン酸鉛薄膜形成と電気的特性評価
- CPM2000-88 有機金属分解法を用いたジルコン酸鉛薄膜形成と電気的特性
- CPM2000-86 シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶成長とその評価
- CPM2000-75 有機金属分解によって形成した(1-x)Ta_2O_TiO_2薄膜の電気的特性と構造
- マグネトロンスパッタ法により作製したZnS膜の構造と組成
- 高感度MOSFET型ガスセンサの吸着特性
- 高感度集積化MOSFETガスセンサーの吸着特性
- PZT(PbZrTiO_3)/STO(SrTiO_3)薄膜成長と不揮発性メモリへの応用
- ポーラスシリコン膜の酸化と発光デバイスへの応用
- Anodic Oxidation of Narrow Region of Silicon Substrate
- Surface Photovoltage Monitoring of Heavy Metal Contamination on Silicon During Chemical Cleaning in IC Manufacturing
- 高密度プラズマ発生装置の開発と次世代薄膜形成への応用に関する研究 (平成20年度共同研究プロジェクト成果)
- 中性原子発生装置の開発とナノスケール半導体薄膜形成への応用に関する研究
- 表面波励起プラズマによる中性水素原子生成とレジストアッシングへの応用 (2003年度実施の地域との共同研究の報告)
- シリコン酸化膜中のゲルマニウムナノ結晶の光学的および電気的特性(電子部品・材料, 及び一般)
- 有機金属分解法により形成した酸化タンタル薄膜の構造と電気的特性(電子部品・材料, 及び一般)
- 酸窒化極薄シリコン酸化膜の成長機構
- 有機金属分解法により形成した酸化チタン薄膜の構造と電気的特性(電子部品・材料, 及び一般)
- 急速熱窒化技術による極薄シリコン窒化膜成長とその電気的特性評価
- 次世代表面弾性波デバイス製造に向けた微細加工技術に関する研究 (平成21年度 プレ共同研究成果)
- XPS法による陽極酸化SiO_2/Si界面領域の組成解析
- 急速熱酸化膜の成長機構についての検討
- 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用
- 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究
- 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究
- 中性原子発生装置の開発とナノスケール半導体薄膜形成への応用に関する研究
- シリコンウェハの直接貼り合わせ接合
- 急速熱酸化技術による極薄N_2O酸窒化膜の形成
- 急速熱酸化技術による極薄NO酸窒化膜の形成
- 気相輸送による黄鉄鉱単結晶の成長と電気的特性について
- 黄鉄鉱単結晶の気相輸送による成長 : 気相成長
- 低温プロセスによるシリコン酸化膜の形成とそのデバイスへの応用
- シリコン陽極酸化膜の界面構造と電気的性質
- 酸化膜中のGeナノ結晶成長とその電気的特性評価
- Synthesis of High Dielectric Constant Titanium Oxide Thin Films by Metalorganic Decomposition
- ギガビットULSIに向けた極薄シリコン酸窒化膜
- ギガビットULSIに向けた極薄シリコン酸窒化膜
- ゲート絶縁膜の信頼性に影響する要因 : 酸化膜の酸窒化から見た信頼性
- P-110 Cp-Lip1タンパク質の有無による嗅神経細胞の匂い応答の違い(ポスターセッション,2013年度日本味と匂学会第47回大会)
- P-096 匂い分子結合タンパク質Cp-Lip1のバレル構造の入口付近に存在するアミノ酸残基の匂い分子結合に関わる役割(ポスターセッション,2013年度日本味と匂学会第47回大会)
- P-097 匂い分子結合タンパク質Cp-Lip1のバレル内腔に存在するアミノ酸残基の匂い分子結合に関わる役割(ポスターセッション,2013年度日本味と匂学会第47回大会)