CPM2000-88 有機金属分解法を用いたジルコン酸鉛薄膜形成と電気的特性
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概要
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現在、誘電率が高い材料をキャパシタの材料として用いたFET型不揮発性メモリが注目を集めている。このメモリは、FETのゲート部分に強誘電体を用いたので、高速、高密度、読み出しが非破壊であるだけでなく、1T型であるためスケーリング則に従い、高集積化に有利であるという利点を持つ。本研究では、このFET型不揮発性メモリに着目し、有機金属分解法(MOD)を用いて、Si基板上にチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr, Ti)O_3)の結晶成長を試みた。また、SiとPZTの界面反応を防ぐため、チタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)の絶縁体バッファ層を用いてMFIS構造を製作した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
中村 滋宏
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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