ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用
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概要
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スピンコート法を用い、位置規則性を持つポリ3ヘキシルチオフェン(P3HT)膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定な結晶構造を示した。薄膜トランジスタ(TFT)において、pチャネルモード動作を示し、最大キャリア移動度において、1.2×10^<-3>cm^2/Vsを有する性能が得られた。さらに、8638ppmのH_2ガスに応答することが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-28
著者
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