シリコン酸化膜中のゲルマニウムナノ結晶の光学的および電気的特性(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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本研究では、次世代不揮発性メモリとして注目されているナノクリスタルメモリへの応用を目的として、電子ビーム蒸着法によりシリコン酸化膜(SiO_2)中にゲルマニウム(Ge)微結晶を自己集合化させ、その結晶性および光学的特性を評価した。SiO_2上にGeを蒸着し熱処理すると、GeはSiO_2中で自己集合化し、最終的にナノサイズの微結晶粒となる。本研究で得られたGe微結晶はラマン分光測定の結果、5.7nmのサイズと見積られ、またフォトルミネッセンス(PL)測定の結果、Ge微結晶による欠陥発光が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-25
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
西野 元一
北海道職業能力開発大学校
-
竹谷 聖克
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
大巻 信也
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
西野 元一
北海道職業能力開発大
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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