白金一酸化タングステンゲートMOSFET型COガスセンサの応答特性
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概要
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一酸化炭素(CO)ガスをppmオーダーの濃度で検知できるMOSFET 型ガスセンサを試作した。MOSFETゲート電極は、COガスを吸着拡散させる白金(Pt)層と触媒活性酸化タングステン(WO_3)層を積層して形成した。MOSFETの動作温度を20、75、100℃に設定し、CO雰囲気中での動作特性を測定した。CO濃度の増加とともに、飽和ドレイン電流の増加、しきい値電圧の負電圧方向でのシフト量が見られた。MOSFETの動作について、Pt/WO_3界面におけるCO分子の吸着・脱離過程より解析した。作製したMOSFETにおいて、空気中、20℃動作で濃度54ppmのCOを検知できることを確認した。
- 2001-07-26
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
長堀 哲也
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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