有機金属分解によるチタン酸鉛薄膜の構造と電気的特性
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概要
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次世代ULSIとしてゲート部分に強誘電体材料を用いたFET型強誘電体メモリが注目を集めている。本研究では、FET型強誘電体メモリに着目し、有機金属分解(MOD)によってチタン酸鉛(PbTiO_3)薄膜をSi基板上に形成した。そして、SiとPTOの界面反応を防ぐためにバッファ層としてチタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)および酸化イットリウム(Y_2O_3)を用いてMFIS構造を作製した。その結果、バッファ層としてSrTiO_3、O_2雰囲気中でアニールした場合が最も結晶性が良くなり、誘電率が最大で157程度となった。また、容量-電圧特性はPbTiO_3の分極効果と見られるヒステリシスループが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-27
著者
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福田 永
室蘭工業大学工学部
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野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
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木村 健志
(株)伊藤喜三郎建築研究所
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野村 滋
室蘭工業大学
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木村 健志
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
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木村 健志
国立中山大学応用数学系(台湾)
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福田 永
室蘭工業大学
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福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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