ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
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概要
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キャスト法を用い、位置規則性を持つポリ3へキシルチオフェン(P3HT)膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定なハニカム結晶構造を示した。薄膜トランジスタ(TFT)において、pチャネル蓄積モード動作を示し、最大キャリア移動度において、8.6×10^<-3>cm^2/Vsを有する性能が得られた。さらに、1000ppmのN_2Oガスに応答することが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
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