急速熱窒化技術による極薄シリコン窒化膜成長とその電気的特性評価
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概要
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NH_3ガス雰囲気中において、窒化時間と窒化温度をパラメータとして、急速熱窒化法により極薄シリコン窒膜を形成した。窒化膜の成長は二段階で進行し、窒化膜成長モデルにおける対数則におおむねしたがっていることがわかった。これらの窒化膜のエッチングプロファイルによる評価を行った結果、Si_3N_4/Si界面付近でのエッチング速度の低下が見られた。これにより、シリコン窒化膜は、窒素リッチ層がSi_3N_4/Si界面付近にパイルアップされていることがわかった。また、FT-IRスペクトルにより、形成された窒化膜中には、酸素および水素が含まれていることが確認された。シリコン窒化膜の絶縁破壊耐圧強度を測った結果、シリコン酸化膜に比べ優れた特性を持つことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-06
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