PZT(PbZrTiO_3)/STO(SrTiO_3)薄膜成長と不揮発性メモリへの応用
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概要
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有機金属分解法を用いて、チタン酸ストロンチウム(STO)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)の成膜を行い、その結晶状態をX線回析で評価した。また、MIS型、MFS型、MFIS型のキャパシタを作製し、C-V特性の測定を行った。STOバッファ層を用いた試料のXRDスペクトルでは、PZT膜は熱処理温度600℃付近で、主に(110)面で成長することがわかった。またMFIS型キャパシタのC-V特性では、アニール温度600℃において、メモリウィンドウ約1Vのヒステリシスが確認された。これはSTOバッファ層のないMFS型キャパシタでは現れなかった。このことより、本研究で用いたSTO絶縁体には、バッファ効果があることが認められた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-07
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
三浦 美保
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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