低温プロセスによるシリコン酸化膜の形成とそのデバイスへの応用
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 白金一酸化タングステンゲートMOSFET型COガスセンサの応答特性
- CPM2000-74 有機金属分解法を用いた酸化イットリウム薄膜形成と電気的特性評価
- CPM2000-73 白金-酸化タングステンゲートMOSFET型ガスセンサの試作
- Application of Ta_2O_5 based composites as a gate dielectric
- マグネトロンスパッタ法により作製したZnO膜の構造と組成
- 有機金属分解によるチタン酸鉛薄膜の構造と電気的特性
- 有機金属分解法による酸化タンタル薄膜の構造と電気的特性
- スパッタ法により作製したインジウム添加硫化亜鉛膜の構造と電気的特性
- シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶における光学および電気的特性
- 有機金属分解による酸化イットリウム薄膜の構造と電気的特性
- 有機金属分解による酸化チタン薄膜の構造と電気的特性
- CPM2000-89 有機金属分解法を用いたチタン酸鉛薄膜形成と電気的特性評価
- CPM2000-88 有機金属分解法を用いたジルコン酸鉛薄膜形成と電気的特性
- CPM2000-86 シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶成長とその評価
- CPM2000-75 有機金属分解によって形成した(1-x)Ta_2O_TiO_2薄膜の電気的特性と構造
- マグネトロンスパッタ法により作製したZnS膜の構造と組成
- 高感度MOSFET型ガスセンサの吸着特性
- 高感度集積化MOSFETガスセンサーの吸着特性
- PZT(PbZrTiO_3)/STO(SrTiO_3)薄膜成長と不揮発性メモリへの応用
- ポーラスシリコン膜の酸化と発光デバイスへの応用
- Anodic Oxidation of Narrow Region of Silicon Substrate
- Surface Photovoltage Monitoring of Heavy Metal Contamination on Silicon During Chemical Cleaning in IC Manufacturing
- 酸窒化極薄シリコン酸化膜の成長機構
- 急速熱窒化技術による極薄シリコン窒化膜成長とその電気的特性評価
- XPS法による陽極酸化SiO_2/Si界面領域の組成解析
- 急速熱酸化膜の成長機構についての検討
- シリコンウェハの直接貼り合わせ接合
- 急速熱酸化技術による極薄N_2O酸窒化膜の形成
- 急速熱酸化技術による極薄NO酸窒化膜の形成
- 気相輸送による黄鉄鉱単結晶の成長と電気的特性について
- 黄鉄鉱単結晶の気相輸送による成長 : 気相成長
- 低温プロセスによるシリコン酸化膜の形成とそのデバイスへの応用
- シリコン陽極酸化膜の界面構造と電気的性質
- 酸化膜中のGeナノ結晶成長とその電気的特性評価