CPM2000-75 有機金属分解によって形成した(1-x)Ta_2O_<5-x>TiO_2薄膜の電気的特性と構造
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概要
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有機金属分解(MOD)法を用い、Si(100)基板上に結晶性の(1-x)Ta_2O_<5-x>TiO_2の薄膜を形成した。成膜直後の膜はアモルファス状態であるが700℃以上のアニールで完全に結晶化が進行した。0.92Ta_2O_5-0.08TiO_2組成の薄膜は、組成が異なる(1-x)Ta_2O_<5-x>TiO_2膜やTa_2O_5薄膜と比べて最も良い絶縁特性を示した。リーク電流密度は3MV/cmの電界まで1×10^<-9>A/cm^2以下の値であった。C-V特性での誘電特性として、3MV/cmで42.5fC/μm^2なる電荷保持密度が得られ、また最大比誘電率16を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-17
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
カジ サラム
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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