Application of Ta_2O_5 based composites as a gate dielectric
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概要
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Ta_2O_5をベースとした複合酸化物薄膜を有機金属分解(MOD)法で形成し、それらの誘電特性について調べた。(1-x)Ta_2O_5-xTiO_2および(1-x)Ta_2O_5-xWO_3薄膜の誘電性および絶縁特性を調べた結果、純粋なTa_2O_5薄膜のそれと比較して改善されていることを見出した。Ta_2O_5へTiO_2あるいはWO_3を組成比でx=0.08添加した薄膜は、誘電性および絶縁特性において優れた特性を示すことが確認された。これらの複合膜における最大の誘電率および蓄積電荷密度は、それぞれ約20および53.6fC/m^2であった。膜の誘電率の温度係数は、純粋なTa_2O_5の65ppm/℃から11ppm/℃未満まで減少した。複合膜のリーク電流密度は3MV/cmでl×10^-9A/cm^2以下の値であった。I-V特性における測定温度依存を調べた結果、膜中の伝導はPoole-Frenkel伝導が支配的であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
Salam K.
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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