表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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本研究は、高密度表面波プラズマ装置の開発と次世代半導体先端プロセスへの応用を目的としている。今回、400℃以下の低温領域でのシリコン系絶縁膜堆積、その組成評価および電子デバイスヘの応用について検討を行った。シリコン窒化膜において、透湿率(WVTR)が0.23g/m^2・dayとなり、十分な保護膜特性が得られた。シリコン酸化膜では、リーク電流が7.5×10^<-9>A以下となり、マイクロディスプレイに適用できることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-17
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