急速熱酸化膜の成長機構についての検討
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概要
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極薄SiO_2膜(10nm以下)成長に関する新しい急速熱酸化(RTO)モデルを提案した。RTO酸化データは概ねDeal-Groveモデルにおける直線二乗則に従うことが示された。さらに、このモデルでは、昇温時の酸化膜成長を考慮することで、実験結果をうまく再現できることが明らかとなった。その結果、酸化温度が950〜1200℃、また酸化膜厚が1.5〜25nmにわたる広い酸化領域において、特別な仮定を設けずRTO酸化膜成長を再現することに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-06
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