表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用
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概要
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本研究は、高密度表面波プラズマ装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用を目的としている。今回、300℃以下の低温領域でシリコン窒化膜(Si_3N_4膜)を堆積し、その組成評価および電子デバイスへの応用について検討を行った。Si_3N_4膜において、水蒸気透湿率(WVTR)が0.083g/m^2・dayとなり、十分な保護膜特性が得られた。また、リーク電流が1.0×10^<-9>A以下となり、マイクロディスプレイに適用できる見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-28
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