有機金属分解法により形成した酸化チタン薄膜の構造と電気的特性(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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次世代ULSIの微細MOSFETに用いるゲート絶縁膜として、高誘電体薄膜が注目されている。酸化チタン(TiO_2)は他の高誘電体材料と比べて誘電率が特に高く、将来有望な高誘電ゲート絶縁膜のひとつである。しかし、TiO_2は結晶化が進行するとリーク電流が大きくなる。シリケイトは熱的に安定なアモルファスを形成でき、この問題を克服することが出来ると考えている。本研究は、有機金属分解(MOD)法によりチタニウムシリケイト薄膜をシリコン上に形成し、その結晶性と電気的特性について調べた。チタニウムシリケイト膜は、高温アニール時に成長する結晶粒に起因するリーク電流を抑えることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-25
著者
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