シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶における光学および電気的特性
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概要
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本研究では次世代不揮発性メモリとして注目されているナノクリスタルメモリへの応用を目的として、有機金属分解(MOD)法によりシリコン酸化膜(SiO_2)中にゲルマニウム(Ge)微結晶を自己集合化させ、その結晶性および電気的特性を評価した。SiO_2中にGeを拡張し熱処理すると、GeはSiO_2中で自己集合化し、最終的にナノサイズの微結晶粒となる。本研究で得られたGe微結晶はラマン分光測定の結果、3〜5nmのサイズと見積られ、またフォトルミネッセンス(PL)測定の結果、Ge微結晶成長による青色発光が室温で観測された。さらにSiO_2/Ge/SiO_2の量子井戸への電子注入によるC-V特性のフラットバンド電圧の変化も確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-26
著者
-
福田 永
室蘭工業大学工学部
-
野村 滋
室蘭工業大学工学部電子電子工学科
-
野村 滋
室蘭工業大学
-
西野 元一
北海道職業能力開発大学校
-
松永 慎一
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 永
室蘭工業大学
-
西野 元一
北海道職業能力開発大
-
福田 永
室蘭工業大・創成機能工学
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