不整転位導入の臨界膜厚に関する理論
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概要
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半導体ヘテロ構造における不整転位導入の臨界膜厚についてはこれまでに数多くの理論計算が試みられてきた。しかしそれらには次の二つの問題がある。1)臨界膜厚の定義が複数あり、違いが十分認識されていない。2)エネルギー計算に主として古典的、巨視的手法が用いられている。本論文では、これら過去の計算の問題点を整理し、その上にたって、原子論的手法に基づく計算結果を述べる。その結果によれば、原子論的計算からもとまる臨界膜厚は、特に60゜転位の場合、従来の巨視的なモデルの結果に比べ、二倍程度大きな値になる。この違いは主に、巨視的モデルでの転位芯のエネルギーが原子論的結果より小さいことによる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-18
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