光化学堆積法によるZnSの堆積
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概要
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S_2O_3^<2->イオンとZn^<2+>イオンを含む溶液から、光化学反応のみによりZnS薄膜をガラス基板上に堆積した。試料作製溶液中のS_2O_3^<2->イオンが300nm以下の波長の紫外線を吸収し、励起されたS_2O_3^<2->イオンがS原子と電子を金属イオンに供給することにより、照射領域のみで硫化物半導体の生成反応が起きる。堆積された薄膜中においてZnとSは結合しておらず、組成は溶液中のZn^<2+>イオンの濃度にしたがって変化した。しかし、500℃のアニールを施すことにより化学量論的組成になった。
- 1998-05-21
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