光化学堆積法による硫化物半導体の作製と評価
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概要
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S_2<O_3>^<2->Cd^<2+>を含む溶液から、光化学反応のみによりCdS薄膜をガラス基板上に堆積した。S_2<O_3>^<2->が265nm以下の波長の紫外光を吸収し、励起されたS_2<O_3>^<2->がS原子と電子をCd^<2+>に供給することにより、照射領城のみで硫化物半導体の生成反応が起きる。作製されたCdSは六方晶の多結晶であり、アニールにより光の透過率と結晶性は向上し、バンドギャップは減少の傾向を示した。pH=3.0で堆積した膜はS-richであったが、300℃以上のアニールにより化学量論的組成になった。膜の組成は溶液のpH値によっても変化した。また、ZnSも同様の方法により堆積することができた。
- 1997-05-23
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