MBE低温成長GaAsの主要電子トラップ
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概要
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300℃-400℃でMBE成長したSiドープGaAs中の電子トラップの特性を、DLTS法と光容量法で詳細に評価した。低温成長MBE層の主要電子トラップは、伝導帯下端より0.64eVに位置する準位であり、この準位は、顕著なフォトクエンチング特性を示すことが、明らかになった。基底状態と準安定状態間の遷移過程は、GaAsバルク結晶中の主要補償準位(EL2)と非常に異なっており、このEc-0.64eVの電子トラップは、低温成長MBE層に特有の欠陥準位であることが判明した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-09
著者
-
長谷川 英機
北海道大学
-
石川 靖彦
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび電子情報工学専攻
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
塩原 俊助
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび電子情報工学専攻
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