Comparison of Young's Modulus Dependency on Beam Accelerating Voltage between Electron-Beam- and Focused Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Pillars

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概要

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• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
• 2006-06-30

著者

• Fujita J

  Crest-jst

• KAITO Takashi

  SII NanoTechnology Inc.

• FUJITA Jun-ichi

  CREST JST, Japan Science and Technology Co.

• ISHIDA Masahiko

  CREST JST, Japan Science and Technology Co.

• OCHIAI Yukinori

  CREST JST, Japan Science and Technology Co.

• Morita Takahiko

  Crest-jst

• OKADA Satoshi

  CREST-JST

• MUKAWA Takahito

  CREST-JST

• KOBAYASHI Ryota

  CREST-JST

• MATSUI Shinji

  CREST-JST

• KAITO Takashi

  Seiko Instruments Inc.

• Ochiai Yukinori

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

• Ishida M

  Sii Nanotechnology Inc.

• Ichikawa Masakazu

  Joint Research Center For Atom Technology

• Ichikawa Masakazu

  Joint Research Center For Atom Technology Angstrom Technology Partnership

• Ichikawa Masakazu

  Joint Research Center For Atom Technology Angstrom Technology Partnership (jrcat-atp) C

• Ichikawa Mitsuru

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology

• Manaka Susumu

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Fujita Jun-ichi

  CREST JST, Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan

• Ishida Masahiko

  CREST JST, Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan

• Kobayashi Ryota

  CREST JST, Japan Science and Technology Co., 4-1-8, Hon-cho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan

• Matsui Shinji

  CREST JST, Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan

• Okada Satoshi

  CREST JST, Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan

• Mukawa Takahito

  CREST JST, Japan Science and Technology Co., 4-1-8, Hon-cho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan

• KAITO Takashi

  SII Nano Technology Inc.

関連論文

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• 26pTG-5 C_電気伝導における光照射(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-12 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIII(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-15 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてII(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYN-7 交差MWCNTによるナノスペースでの電気伝導(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• Nanometer-Scale Patterning of Polystyrene Resists in Low-Voltage Electron Beam Lithography
• Calixarene Electron Beam Resist for Nano-Lithography
• Resolution-Limit Study of Chain-Structure Negative Resist by Electron Beam Lithography
• Fabrication of Nanomanipulator with SiO_2/DLC Heterostructure by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Characteristics of Nano-Electrostatic Actuator Fabricated by Focused Ion Beam Chemical Vapor Deposition
• Direct Extraction of Sodium Negative Ions from Sodium Plasma
• Energy Distribution of Au^- Ions Produced by Sputtering
• Dependence of Au^- Production upon the Target Work Function in a Plasma-Sputter-Type Negative Ion Source
• Sub-10-nm Electron Beam Lithography Using a Poly(α-methylstyrene) Resist with a Molecular Weight of 650
• 21pTA-3 開放系量子ドットにおけるSGM画像の数値計算(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-3 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIV(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pXL-2 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析 : 量子論と古典論の比較(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-14 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-9 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-8 量子細線における低温非線形伝導現象の観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-10 結合量子ポイントコンタクトにおける二次元電子面を介した共鳴現象(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• In-situ Observation of the Three-Dimensional Nano-Structure Growth on Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition by Scanning Electron Microscope
• 21pXA-13 多層カーボンナノチューブの物性に関しての基礎的評価(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYN-3 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性の基礎的評価(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 領域7「フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性 : CNTとはどう違う?」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
• Chaotic Behavior in the Magneto-Resistance of Quantum Dot and Quantum Point Contact(Quantum Mechanics and Chaos)
• Evaluation of Vacuum Microcapsule Fabricated using Focused-Ion-Beam Chemical-Vapor-Deposition
• Fabrication of Diamond-Like Carbon Nanosprings by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition and Evaluation of Their Mechanical Characteristics(Micro/Nano Fabrication,Microoptomechatronics)
• Comparison of Young's Modulus Dependency on Beam Accelerating Voltage between Electron-Beam- and Focused Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Pillars
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• Position-Controlled Carbon Fiber Growth Catalyzed Using Electron Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Ferrocene Nanopillars
• Nanomechanical Switch formed by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Bilayer Resist Method for Room-Temperature Nanoimprint Lithography
• Nozzle-Nanostructure Fabrication on Glass Capillary by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition and Etching
• Three-Dimensional Nanoimprint Mold Fabrication by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Evaluation of Field Electron Emitter Fabricated Using Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Structure and Resonant Characteristics of Amorphous Carbon Pillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition
• Graphitized Wavy Traces of Iron Particles Observed in Amorphous Carbon Nano-pillars
• Self-Developing Properties of an Inorganic Electron Beam Resist and Nanometer-Scale Patterning Using a Scanning Electron Beam
• Electron-Stimulated Desorption and in situ Scanning Electron Microscopy Study on Self-Developing Reaction of High-Resolution Inorganic Electron Beam Resist
• Nanometer-Scale Direct Carbon Mask Fabrication Usirng Electron-Beam-Assisted Deposition
• Nanoimprint Mold Repair by Ga^+ Focused-Ion-Beam Direct Etching
• Room Temperature Nanoimprint Technology Using Hydrogen Silsequjoxane (HSQ)
• Investigating Line-Edge Roughness in Calixarene Fine Patterns Using Fourier Analysis
• Surface Morphology of Diamond-Like Carbon Film and Si Wafer Milled with 30 keV Gallium Focused Ion Beam
• Fabrication and Characterization of 14-nm-Gate-Length EJ-MOSFETs
• Proposal of Pseudo Source and Drain MOSFETs for Evaluating 10-nm Gate MOSFETs
• A Proposal of a Hybrid Magnetic Probe
• Nanolithography Using a Chemically Amplified Negative Resist by Electron Beam Exposure
• Examination of Focused-Ion-Beam Repair Resolution for UV-Nanoimprint Templates
• Eduction Position Control of Incorporated Gallium in Diamond-Like Carbon Deposited by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Relationship between Field Emission Properties and Material Characteristics of Diamond-Like Carbon Fabricated by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Nanoimprint Mold Repair by Ga+ Focused-Ion-Beam Direct Etching
• Characteristics of Nano-Electrostatic Actuator Fabricated by Focused Ion Beam Chemical Vapor Deposition
• Nozzle-Nanostructure Fabrication on Glass Capillary by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition and Etching
• Effect of Annealing on Implanted Ga of Diamond-Like Carbon Thin Films Fabricated by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Driving Force of an Iron Particle’s Movement in Solid-Phase Graphitization
• In-situ Visualization of Local Field Enhancement in an Ultra Sharp Tungsten Emitter under a Low Voltage Scanning Transmission Electron Microscope
• Three-Dimensional Nanoimprint Mold Fabrication by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• Growth Manner and Mechanical Characteristics of Amorphous Carbon Nanopillars Grown by Electron-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition
• Graphitized Wavy Traces of Iron Particles Observed in Amorphous Carbon Nano-pillars
• Position-Controlled Carbon Fiber Growth Catalyzed Using Electron Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Ferrocene Nanopillars

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