28aXB-9 スキャニングゲート法によるInGaAs量子ポイントコンタクトのイメージング(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2006-03-04

著者

• フェリー D.K.

  アリゾナ州立大

• 森本 崇宏

  千葉大学融合

• ***ャ C.r.da

  千葉大工

• 青木 伸之

  アリゾナ州立大

• 森本 崇宏

  アリゾナ州立大

• エイキス R.

  千葉大工

• フェリー D.K.

  千葉大工

• 落合 勇一

  アリゾナ州立大

• Ochiai Yukinori

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

関連論文

• 21aGS-12 グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aHV-12 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析2(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pGS-11 SGMを用いたCNT薄膜FETの特性評価(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGS-14 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aHV-3 量子細線のスピン磁気特性(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aGR-2 光照射フラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYD-5 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価II(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYE-6 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pYE-7 C_フラーレンナノウィスカー : 電気伝導への電磁波等照射効果(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aXD-3 量子ポイントコンタクトの温度依存に見られる特徴的な伝導現象(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pYH-11 窒素ドープ多層カーボンナノチューブの低温磁気伝導(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYH-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性II(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aVE-3 量子細線における0.7構造の類似現象(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYH-3 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-17 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの注入障壁の局所評価(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pTA-5 MWNT磁気伝導の磁場角度依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTA-3 多層カーボンナノチューブの干渉効果におけるリードコンタクト依存性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWF-9 光を照射したフラーレンナノウィスカーの電気伝導特性(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTB-11 走査ゲート顕微法によるボトムコンタクト型有機半導体FETの局所ゲート特性評価(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aYF-8 エッチングで作製したGaAs系量子ポイントコンタクトのSGM観察(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-5 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aTA-11 グラフェンにおける低温伝導特性(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-6 1次元系近藤効果における近藤温度の形状依存性(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pWH-3 グラフェンにおける低温伝導特性(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pRC-5 結合型量子細線における非局所伝導を用いた局在モーメントの観測(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXJ-2 非平衡測定による量子細線・量子ポイントコンタクトの観測(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTA-4 スキャニングゲート法による開放系量子ドットの観察(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXJ-5 スキャニングゲート法によるInGaAs-QPCの量子ホールエッジ状態のマッピング(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-9 スキャニングゲート法によるInGaAs量子ポイントコンタクトのイメージング(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aRG-1 C^フラーレンの金属との接触特性(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYF-10 C_フラーレン電気伝導における表面処理効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pRC-17 C_ナノ・ウィスカーFETの作製と電気伝導特性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-5 C_ウィスカーの2端子電気伝導特性II(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTG-5 C_電気伝導における光照射(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-12 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIII(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-15 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてII(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYN-7 交差MWCNTによるナノスペースでの電気伝導(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aZC-9 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 24aPS-2 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性について(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12pYC-4 結合型量子細線を用いた局在スピンモーメントの検出(量子細線, 領域 4)
• 30aYA-5 単一量子ドット系におけるファノ効果観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• Fabrication of Nanomanipulator with SiO_2/DLC Heterostructure by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
• 21pTA-3 開放系量子ドットにおけるSGM画像の数値計算(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-3 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性についてIV(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pXL-2 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析 : 量子論と古典論の比較(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-14 開放型量子ドットの磁気抵抗のローレンツ型特性とカスプ型特性のクロスオーバーの解析(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-9 量子細線における近藤効果のゲート形状依存性(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-8 量子細線における低温非線形伝導現象の観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-10 結合量子ポイントコンタクトにおける二次元電子面を介した共鳴現象(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pXA-13 多層カーボンナノチューブの物性に関しての基礎的評価(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYN-3 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性の基礎的評価(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
• 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
• 領域7「フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性 : CNTとはどう違う?」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
• Chaotic Behavior in the Magneto-Resistance of Quantum Dot and Quantum Point Contact(Quantum Mechanics and Chaos)
• 18pRJ-2 AFMを用いた単層・多層ハイブリッドCNT素子の作製と電気伝導(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23aYF-4 単層・多層複合CNT素子における量子伝導効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• Comparison of Young's Modulus Dependency on Beam Accelerating Voltage between Electron-Beam- and Focused Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Pillars
• 20pYC-4 同一基板上における「0.7構造」の観測(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
• 26pTG-1 銅フタロシアニンのSGMによる伝導特性評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 21pXA-8 AFMによる量子伝導観測用MWNT素子の研究(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aTE-8 交差カーボンナノチューブの伝導(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYB-8 フラーレンナノウイスカーによるFET(25pYB 領域7シンポジウム:フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性-CNTとはどう違う?-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 31a-N-2 量子細線の伝導度ゆらぎにおける普遍性のやぶれ
• 10-nm-Scale Pattern Delineation Using Calixarene Electron Beam Resist for Complementary Metal Oxide Semiconductor Gate Etching
• Intra-Leve Mix-and-Match Lithography Process for Fabricating Sub-100-nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices using the JBX-9300FS Point-Electron-Beam System
• 実験室 走査ゲート顕微法によるInGaAs量子ポイントコンタクトの観察
• 23aYF-3 カーボンナノチューブ構造体の作製と低温電気伝導(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aHD-12 半導体量子細線における磁場依存性と解析(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-5 垂直配向型フラーレンウィスカーの成長分析および電気特性(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTJ-2 フラーレンナノウィスカーUV重合体のESRによる評価(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aHD-2 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTB-2 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-10 フラーレンナノウィスカーの電子物性と結晶成長条件(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-9 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク