金ナノ粒子触媒を用いた無電解バリア/シード層のCu-TSVへの応用(<特集>電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
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概要
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無電解めっきにより拡散バリアメタル,シード層堆積を行うことにより,三次元実装におけるSi貫通電極(TSV)形成を全てウエットプロセスにより達成した.また無電解バリアメタル形成には触媒として金ナノ粒子を用いることにより,SiO_2上に高密度かつ凝集のない触媒付与に成功した.この方法で形成したバリアメタル,シード層は抑止剤の添加により高アスペクト比TSVにおいても均一な膜厚を得られることが分かった.
- 2011-11-01
著者
-
新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
-
清水 智弘
マックスプランク微細構造物理研
-
近藤 和夫
大阪府立大学大学院工学研究科物質・化学系専攻
-
清水 智弘
東京大学大学院理学系研究科情報科学専攻
-
清水 智弘
広島大学先端物質科学研究科
-
新宮原 正三
Hiroshima University Graduate School Of Adsm
-
新宮原 正三
広島大学先端物質科学研究科
-
近藤 和夫
大阪府立大学 大学院工学研究科
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
清水 智弘
関西大学システム理工学部
-
井上 史大
関西大学システム理工学部
-
林 太郎
大阪府立大学大学院工学研究科
-
新宮原 正三
関西大学システム理工学部
-
井上 史大
関西大学大学院理工学研究科
-
新宮原 正三
関西大学システム理工
-
林 太郎
大阪府立大学
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