突起電極を利用したパターンめっき膜厚の均一化 : パターン周辺設置電極
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概要
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セミアディティブ法のパターン電気めっき膜厚の均一化について数値解析により検討した。BGA用パターンめっき基板を各領域に分け,Active area densityを定義した。BGAパターン内の電流密度分布をラプラス式とバトラー・ボルマー式で数値解析した。この方法で,パターン密度および,めっき液の電気伝導度による,パターンめっき電流分布への影響を電流分布シミュレーションで把握することができた。さらに,BGA用パターンめっき基板のパターン周辺部に補助突起電極を設置することにより,配線密度の粗なBGAパターン端部に集中していた電流を補助突起電極が吸収し,端部の電流密度は減少することを見出した。電流密度分布は,補助突起電極の位置(基板端部からの高さ,間隔)により変化し,最適化することにより,電流密度分布の誤差が最小誤差の3.37%となり,均一化の可能性が示唆された。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2004-07-01
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
近藤 和夫
大阪府立大学大学院工学研究科物質・化学系専攻
-
近藤 和夫
大阪府立大学 大学院工学研究科
-
大久保 利一
凸版印刷株式会社総合研究所次世代基盤研究所
-
小寺 民恵
岡山大学工学部物質応用化学科
-
大久保 利一
凸版印刷(株)総合研究所
-
大久保 利一
凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
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