三次元実装に用いる高アスペクト銅穴埋めっき(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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The optimized concentration of additives are, SPR as 5mg/L, LEV as 0.2mg/L, SPS(Bis(3-sulfopropul)disulfide) as 2mg/L, HCl as 70mg/L and H_2SO_4 as 25g/L. With I_<on>=6mA/cm^2, however, the vias have voids. O_2 gas was bubbled into the bath. With pulse reverse current of Ton:Trev:Toff=200ms:10ms:200ms, Irev/Ion=2.0, perfect via filling was achieved by applying I_<on>=6mA/cm^2 with 75 minutes. Then two steps current densities was applied with initial I_<on>=6mA/cm^2 of 50 minutes and second I_<on>=15mA/cm^2 of 10 minutes. The time shortening of 60 minutes with perfect via filling was achieved.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-21
著者
-
大久保 利一
凸版印刷(株)
-
高橋 健司
日本電信電話株式会社ntt情報流通プラットフォーム研究所
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
近藤 和夫
大阪府立大学大学院工学研究科物質・化学系専攻
-
近藤 和夫
大阪府立大学 大学院工学研究科
-
高橋 健司
超先端電子技術開発機構電子SI技術研究部筑波研究センタ
-
米澤 稔利浩
大阪府立大学工学研究科
-
三上 大輔
大阪府立大学工学研究科
-
高橋 健司
(株)東芝セミコンダクター社
-
三上 大輔
大阪府立大学 大学院工学研究科
-
大久保 利一
凸版印刷(株)総合研究所
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構 筑波研セ
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
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