CSP 実装に用いる高アスペクトバンプめっき
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概要
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CSP実装で重要なメタルポストや微細化したはんだバンプは, 高アスペクトキャビティに電気めっき法で形成する。アスペクト比が1のキャビティでは, カソード設置角度の増大に伴い電気めっきバンプの下端がより盛り上がった。設置角度が90°でアスペクト比を2.5とすると, 下端での盛り上がりがさらに顕著となった。カソードではイオンを消費し, 密度差対流を発生する。この対流はキャビティ外へと流出し, キャビティ外で大きな渦を形成する。再びキャビティ内へと流入し, バンプ下端部に衝突する。この衝突点で等濃度線が近接し, バンプ下端部が盛り上がる。高アスペクト比のキャビティは, 内部までのかくはんが困難である。そのためには上述の密度差対流の活用が重要である。
- 1999-01-01
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部物質応用化学科
-
福井 啓介
姫路工業大学産業機械学科
-
阿山 雅之
姫路工業大学産業機械学科
-
林 克彦
岡山大学工学部精密応用化学科
-
米田 太輔
岡山大学工学部精密応用化学科
-
福井 啓介
姫路工業大学工学部 産業機械工学科
-
林 克彦
岡山大学工学部物質応用化学科
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
田中 善之助
岡山大 工
-
福井 啓介
姫路工業大学 産業機械工学科
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