プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜 - ホウ素ドーパントの影響
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概要
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酸化亜鉛薄膜は, 透明導電膜や紫外発光レーザー材料として注目されている. 本研究ではプラズマCVD法を用い, 酸化剤としてN<SUB>2</SUB>Oを, また抵抗率を下げることを目的に安全性の高いドーパントであるトリエトキシボレートB (OC<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>) <SUB>3</SUB> (TEB) を使用し酸化亜鉛薄膜を作成した. その結果, 基板温度が300℃で最小抵抗率4.55×10<SUP>-3</SUP>Ω・cmを得ることができた. この最小抵抗率は電子密度の増大と対応し, 薄膜は高いc-軸配向を示した.
- 社団法人 化学工学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部物質応用化学科
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
石山 敬造
岡山大学工学部 精密応用化学
-
田中 善之助
岡山大 工
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