添加剤によるめっきバンプの形状制御と COG 接続特性
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概要
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硫酸銅電解液にセレン酸を添加すると, 交換電流密度(i_o)とカソード移動係数(α_c)とが増加する。電荷移動抵抗が減少し, 見かけ上溶液抵抗により電流密度分布が支配される。そのため, セレン酸濃度が200, 1000g/m^3のとき, Wa(Wagner)定数は1より小さく電流密度分布は不均一になりバンプの周囲が盛り上がる。セレン酸添加剤を用いて, 平坦な形状と周囲が盛り上がった形状のバンプを作製した。異方性導電膜(ACF(Anisotropic Conductive Film))を用いてCOG(Chip on Glass)接続実験を行い, バンプ上に捕獲した導電粒子数を測定した。周囲が8から11μm盛り上がったバンプ形状では平坦なバンプ形状と比べて導電粒子を4倍程度捕獲できることがわかった。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部物質応用化学科
-
江口 宗博
岡山大学工学部物質応用化学科
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
門田 卓也
岡山大学工学部精密応用化学科
-
田中 善之助
岡山大 工
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