3次元実装に用いる高アスペクト比貫通電極の銅穴埋めめっき
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概要
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Through chip electrodes with high aspect ratios used for three dimensional packaging can offer the shortest interconnection and reduce signal delay. Copper has good-compatibility to conventional multi layer interconnection in LSI and BEOL (back end of line process). In this work, filling vias with higher aspect ratio, 10μm in square and 70 μm in depth, used for through chip electrodes was investigated. Removing overhang at via top is important to achieve perfect via fill of 10μm in square and 70 μm in depth. With testing a series of electrodeposition conditions, conformal electrodeposits were obtained. With those conformal electrodeposits, seams and voids always remain at the via center. Perfect via filling without seams or voids was achieved by increasing leveler of JGB concentration to 30 mg/L. The electrodeposition time was reduced to 3.5hrs by using two steps pulse reverse current.
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2003-11-01
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
高橋 健司
日本電信電話株式会社ntt情報流通プラットフォーム研究所
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
田口 裕一
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset):(現)新光電気工業株式会社
-
星野 雅孝
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)
-
米澤 稔浩
岡山大学工学部
-
高橋 健司
超先端電子技術開発機構電子SI技術研究部筑波研究センタ
-
岡村 拓治
岡山大学工学部物質応用化学科
-
呉 承真
岡山大学工学部物質応用化学科
-
富坂 学
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)
-
米村 均
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ
-
星野 雅孝
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset):(現)spansion Japan株式会社
-
星野 雅孝
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 電子si技術研究部 筑波研究センタ
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構 筑波研セ
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
富坂 学
超先端電子技術開発機構
-
米村 均
超先端電子技術開発機構 筑波研セ
-
米澤 稔浩
岡山大学工学部:(現)ミヨシ電子株式会社
-
米村 均
技術研究組合超先端電子技術開発機構
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構
-
富坂 学
技術研究組合超先端電子技術開発機構
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