岡山大学工学部物質応用化学科材料プロセッシング工学研究室(研究室訪問)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2000-05-01
著者
関連論文
- 電解銅箔の結晶配向性と成長
- ビア充てんめっきの形状支配因子
- 鎖状シリカ粒子を含む浴からのZn-SiO2分散めっき
- CSP 実装に用いる高アスペクトバンプめっき
- 貫通電極型三次元実装の低コスト化技術開発(SiP要素技術と先端LSIパッケージ)(最近の半導体パッケージと高速伝送・高周波実装技術論文特集)
- ビア穴埋めに用いる Cu めっき添加剤のメカニズム : 第 2 報 溝底の促進効果
- ビア穴埋めに用いる Cu めっき添加剤のメカニズム
- 3次元実装に用いる高アスペクト比貫通電極の銅穴埋めめっき
- シリカ分散電気亜鉛めっきのナノ粒子取り込み機構
- 亜鉛-コバルト合金めっきの結晶形態
- 微細めっきバンプの形状因子
- 穴埋めめっきに用いるCuめっき添加剤のメカニズム第3報-開口寸法の影響
- 凸型マイクロバンプの形状制御
- 電解亜鉛めっき中に分散したチタニア粒子の結晶形態
- ウエハーレベルCSPに用いる高アスペクトCUめっきの形状制御
- プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜 : アルミニウムドーパントの影響
- (17) 2A4 : 鉛フリーはんだV めっき技術 (2. 会議の概要, MES 2001 報告, 第 11 回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- (6) 1B1 : 回路基板I めっき技術 (2. 会議の概要, MES 2001 報告, 第 11 回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- 岡山大学工学部物質応用化学科材料プロセッシング工学研究室(研究室訪問)
- バンプめっきの形状制御 : レジスト角度の影響
- バンプめっきの形状制御 : レジスト角度の影響
- 半導体高密度接続バンプの形状制御
- 突起電極を利用したパターンめっき膜厚の均一化 : パターン周辺設置電極
- 凸型マイクロバンプの形状制御 : 第2報 薄膜レジスト
- 突起電極を利用したパネルめっき膜厚の均一化 : 基板保持治具の改善
- Cuダマシンめっきの添加剤(PEG)の役割
- 添加剤によるめっきバンプの形状制御と COG 接続特性
- プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜 - ホウ素ドーパントの影響
- 電解エッチング法によるリードフレームの形状制御
- プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜
- 表面実装化学工学への展開
- 亜鉛ニッケル合金めっきの原子間力顕微鏡(AFM)観察と成長機構