貫通電極型三次元実装の低コスト化技術開発(SiP要素技術と先端LSIパッケージ)(<特集>最近の半導体パッケージと高速伝送・高周波実装技術論文特集)
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概要
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貫通電極型三次元実装は半導体のシステム化にとって非常に有望な技術である.この技術の最大の課題の一つはコストである.我々は製造プロセスのコスト分析を行い,高コスト工程としてCuめっき,Cu-CMP,裏面バンプの三つのプロセスを抽出した.そこでこれらの課題に対して生産性を改善するためのプロセス及び積層構造の検討を行った.Cuめっきはめっき液組成の最適化とめっき液の酸素置換によりめっき時間を1時間まで短縮した.Cu-CMPについては高速研磨スラリーとソフトランディング加工により厚さ9μmのCuを8.7分で研磨することができた.裏面バンプについてはこれを省略し,表面のCuバンプをCu貫通電極とSn-Agを介して直接接合する構造についての評価を行った.2段階封止により低熱膨張樹脂を封止材として用いることで本構造において温度サイクル1000サイクルまでの信頼性を確認した.以上の結果により貫通電極型三次元実装のコストを大幅に低減させることが可能な見通しを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-01
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
高橋 健司
日本電信電話株式会社ntt情報流通プラットフォーム研究所
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
田口 裕一
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset):(現)新光電気工業株式会社
-
近藤 和夫
大阪府立大学大学院工学研究科物質・化学系専攻
-
近藤 和夫
大阪府立大学 大学院工学研究科
-
谷田 一真
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)電子SI技術研究部筑波研究センタ
-
谷田 一真
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
梅本 光雄
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)電子SI技術研究部筑波研究センタ
-
星野 雅孝
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)
-
米澤 稔浩
岡山大学工学部
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ
-
星野 雅孝
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset):(現)spansion Japan株式会社
-
星野 雅孝
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 電子si技術研究部 筑波研究センタ
-
梅本 光雄
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset):(現)関東三洋セミコンダクター株式会社
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構 筑波研セ
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
米澤 稔浩
岡山大学工学部:(現)ミヨシ電子株式会社
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構
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