ビア穴埋めに用いる Cu めっき添加剤のメカニズム
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本研究ではビア(トレンチ)穴埋めに用いるCuめっきの添加剤(Cl^-, PEG, SPS, JGB)の役割を検討した。Cl^-を添加するとマクロステップが発生する。PEGを添加するとこのマクロステップ端面に直径数十nmの粒状PEGが優先的に吸着する。PEGの吸着はマクロステップ成長を抑制する。JGB, SPSを添加すると, 数十nmの微細な結晶形態となる。Cl^-+PEGを添加すると分極曲線はカソード分極し, めっき成長は抑制される。Cl^-+PEG+JGBでは回転数の増加とともにカソード分極が大きくなる。添加剤であるJGBはPEGの拡散律速性を大きくする。そのためトレンチ外部の方が拡散距離の長い底部よりPEGが多数吸着する。トレンチ外部ではめっきの成長が抑制され, 優先的にトレンチ底部にめっきが析出する。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2000-11-01
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部
-
山川 統広
岡山大学工学部物質応用化学科
-
田中 善之助
岡山大学工学部物質応用化学科
-
林 克彦
岡山大学工学部精密応用化学科
-
林 克彦
岡山大学工学部物質応用化学科
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
田中 善之助
岡山大 工
関連論文
- 電解銅箔の結晶配向性と成長
- 無電解Snめっき膜上に形成されるウィスカ発生に対するSnめっき膜の結晶粒径と基板の結晶配向性の影響
- 無電解Snめっき膜上に形成されるウィスカ発生に対する基板の構造の影響
- 無電解Snめっき膜より発生したウィスカの形態
- ビア充てんめっきの形状支配因子
- ビア導通めっきの形状制御 (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (回路基板(1))
- ビア導通めっきの形状制御 (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (回路基板(1))
- 鎖状シリカ粒子を含む浴からのZn-SiO2分散めっき
- 石炭利用技術の動向 (特集 石炭利用技術の現状と展望)
- 石炭利用技術分科会 (わが分科会の初夢)
- 97米国粉体工業展と米国粉体事情 (97海外粉体事情)
- 電析金属の結晶成長と表面形態
- PR電解を用いた銅穴埋めめっき
- 銅ダマシンめっきと三次元実装貫通電極形成
- 部品の構成元素割合に基づく製品分解手法に関する研究(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 熱型赤外線センサ封止用ZnS窓材へのCu充填貫通配線
- CSP 実装に用いる高アスペクトバンプめっき
- 貫通電極型三次元実装の低コスト化技術開発(SiP要素技術と先端LSIパッケージ)(最近の半導体パッケージと高速伝送・高周波実装技術論文特集)
- ビア穴埋めに用いる Cu めっき添加剤のメカニズム : 第 2 報 溝底の促進効果
- ビア穴埋めに用いる Cu めっき添加剤のメカニズム
- ビア底での穴埋め添加剤のメカニズム (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- 3次元実装に用いる高アスペクト比貫通電極の銅穴埋めめっき
- 三次元実装用貫通電極孔めっきの時間短縮
- シリカ分散電気亜鉛めっきのナノ粒子取り込み機構
- 703 構成部品の金属成分測定に基づく製品分解手法に関する研究(FAI)
- 亜鉛-コバルト合金めっきの結晶形態
- 石炭高品位化のための固気流動層による乾式比重分離
- 微細めっきバンプの形状因子
- 2次元固気流動層内での異粒径2成分粒子の偏析と粒子流れおよび気泡の動的挙動
- 穴埋めめっきに用いるCuめっき添加剤のメカニズム第3報-開口寸法の影響
- 自動車シュレッダーダストの乾式連続素材分離
- 凸型マイクロバンプの形状制御
- 電解銅箔の表面粗さ形成機構
- 電解亜鉛めっき中に分散したチタニア粒子の結晶形態
- 固気流動層での比重分離法による自動車シュレッダーダストの素材分離
- ウエハーレベルCSPに用いる高アスペクトCUめっきの形状制御
- 風力選別法による自動車シュレッダーダストの素材分離
- プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜 : アルミニウムドーパントの影響
- 粒径の異なる2成分粒子系固気流動層内での粒子挙動の見掛け浮力測定による検討
- わずかな密度差を利用した固気流動層による珪石とろう石の比重分離
- 電解銅箔の表面粗さ形成機構
- 穴埋めめっきにおける開口寸法の影響
- (17) 2A4 : 鉛フリーはんだV めっき技術 (2. 会議の概要, MES 2001 報告, 第 11 回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- (6) 1B1 : 回路基板I めっき技術 (2. 会議の概要, MES 2001 報告, 第 11 回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- 岡山大学工学部物質応用化学科材料プロセッシング工学研究室(研究室訪問)
- バンプめっきの形状制御 : レジスト角度の影響
- バンプめっきの形状制御 : レジスト角度の影響
- 半導体高密度接続バンプの形状制御
- 半導体高密度接続バンプとその形状制御--レジスト角度の影響
- 半導体高密度接続金バンプの形状形成機構
- 半導体高密度接続バンプの形状制御 (数値解析と化学装置モデリング)
- 流動層による石炭の乾式クリ-ン化法 (進展する流動層技術の話題)
- 高密度接続バンプの精密制御と半導体実装技術の体系化
- PRパルス電解を用いたフィルドビアめっきの最適条件の検討
- 亜鉛めっきの原子間力顕微鏡(AFM)観察と成長機構
- 三次元実装に用いる高アスペクト銅穴埋めっき(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 三次元実装に用いる高アスペクト銅穴埋めっき(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 突起電極を利用したパターンめっき膜厚の均一化 : パターン周辺設置電極
- 凸型マイクロバンプの形状制御 : 第2報 薄膜レジスト
- 突起電極を利用したパネルめっき膜厚の均一化 : 基板保持治具の改善
- 銅箔表面の粗化形態と結晶構造
- Cuダマシンめっきの添加剤(PEG)の役割
- 粉砕に伴う微量鉄分の除去
- 流動層による石炭の乾式高品位化技術の開発
- 実装プロセス工学の最新研究分野
- 添加剤によるめっきバンプの形状制御と COG 接続特性
- プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜 - ホウ素ドーパントの影響
- 電解エッチング法によるリードフレームの形状制御
- スーパーコネクト用マイクロバンプ (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜
- 表面実装と微細電気化学工学 ( 最近の化学工学研究の話題)
- 表面実装化学工学への展開
- 亜鉛ニッケル合金めっきの原子間力顕微鏡(AFM)観察と成長機構
- 流動層CVD法によるSi_3N_4微粒子のAlN被覆
- 沿面コロナ放電CVDで合成したAlN微粒子中の不純物酸素の熱処理除去における添加剤効果
- 第 186 回電気化学大会 (ECS 186th Meeting) に参加して
- 流動化による機能材料の傾斜充填法
- 気体遠心力場における粒子の速度
- 遠心流動層の流動化特性
- エルトリエーションに及ぼす他成分粒子の影響
- 微小粒子の湿式遠心分級
- 微細粒子の湿式確率分離
- 流動層のオンライン計測制御 (〔粉体工学会〕第26回技術討論会小特集--粉体プロセスにおけるオンライン計測技術)
- 高回転数の場合の気固系撹拌流動層の撹拌所要動力および圧力損失
- 気固系攪拌流動層の攪拌所要動力と圧力損失
- エレクトロニクスにおけるめっき技術
- エレクトロニクス部会とは
- 粉体工学の昨今
- 流動層中における2成分粒子の分離と軸方向圧力分布
- 微粒子の乾式精密分級
- 金ナノ粒子触媒を用いた無電解バリア/シード層のCu-TSVへの応用(電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
- 電解穴埋め銀めっきによるワイヤーグリッド偏光フィルムの作製
- 平滑な電解銅箔の作製における添加剤の影響
- ジアリルアミン添加剤を用いた銅穴埋めめっき
- 微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析(配線・実装技術と関連材料技術)
- 市販ヒ-トパイプの操作条件と性能