プラズマCVD法によるZnO透明導電薄膜 : アルミニウムドーパントの影響
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概要
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酸化亜鉛（ZnO）薄膜は，透明導電膜や紫外線発光レ-ザー材料として注目されている．本研究では，プラズマCVD法を用い，ドーパントとしてトリエチルアルミニウム（TEA），酸化剤としてN20を使用しZnO薄膜を作製した．基板温度400℃で最小抵抗率9.7×10-49・cmを得た．また，結晶粒径の大きいZnO薄膜は高い移動度を示し，低い抵抗率を示した．
- 社団法人 化学工学会の論文
- 2001-03-20
著者
-
近藤 和夫
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部
-
田中 善之助
岡山大学工学部物質応用化学科
-
大岸 厚文
岡山大学工学部 物質応用化学科
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
田中 善之助
岡山大 工
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