流動層CVD法によるSi_3N_4微粒子のAlN被覆
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概要
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Agglomerates of 100250 μm consisting of Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB> primary particles of 0.76 μm were made with a rotary vibrating sieve. Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB> fine particles were coated with AlN by gas phase reaction with AlCl<SUB>3</SUB> and NH<SUB>3</SUB> in some fluidized beds of the agglomerates. The cross sectional distribution of AlN in the agglomerate was measured by EPMA analysis. As a result, uniform deposition of AlN was obtained at a relatively low reaction temperature and low gas velocity.
- 社団法人 化学工学会の論文
- 1996-03-10
著者
-
篠原 邦夫
北海道大学大学院工学研究科物質工学専攻
-
大山 恭史
産業技術総合研究所
-
篠原 邦夫
Division Of Materials Science And Engineering Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
近藤 和夫
北海道大学工学部物質工学専攻
-
篠原 邦夫
北海道大学
-
千葉 繁生
産業技術総合研究所
-
大山 恭史
北海道工業技術研究所
-
千葉 繁生
北海道工業技術研究所
-
近藤 和夫
大阪府大 大学院工学研究科
-
播磨 和幸
株式会社花王
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