20μmピッチ微細Auバンプ接合に関する基礎検討
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概要
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ASETでは1999年から始まった「超高密度電子SI技術の研究開発機構」プロジェクトにて,高密度・高速化に適したSiP(system-in-a-package)としてSi内部に20μmピッチ微細Cu貫通電極を形成したチップを積層する3次元チップ積層構造の開発を行ってきた。その中でチップ積層プロセスは重要な技術であり,Auバンプを介して低温・短時間でチップ間を接続する超音波接合方式が期待されている。本研究では,基礎検討として熱圧着接合を用いた20μmピッチ微細Auバンプ接合の検討を行い,Au/COC(chip-on-chip)モデルにおける接続信頼性を評価した。熱圧着接合によるAuバンプ接合部は,初期接触界面が接合時の再結晶現象により一部消失した強固な接合が得られることを確認した。TCT(Temperature Cycling Test)試験の結果,水平方向の熱膨張差がほとんどないSi on Si構造においても,微細化に伴いチップ間の封止樹脂と金属接合部の高さ方向の熱膨張差による応力負荷が無視できないことがわかった。また,Auの弾性率の結晶方位依存性,応力-非弾性歪み関係および疲労強度特性を明らかにしたうえで,Auバンプの材料不均質性を仮定したFEM(Finite Element Method)解析を実施し,実際のTCT試験結果との対応が良好なAuバンプ接合部の疲労寿命予測ができることを示した。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2007-11-01
著者
-
高橋 浩之
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
高橋 健司
日本電信電話株式会社ntt情報流通プラットフォーム研究所
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
高橋 浩之
東芝
-
川上 崇
富山県立大
-
川上 崇
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
谷田 一真
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)電子SI技術研究部筑波研究センタ
-
秋山 雪治
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)電子SI技術研究部筑波研究センタ
-
山地 泰弘
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)電子SI技術研究部筑波研究センタ
-
谷田 一真
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社東芝
-
秋山 雪治
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:株式会社ルネサステクノロジ
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ
-
山地 泰弘
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)電子si技術研究部筑波研究センタ:独立行政法人産業技術総合研究所
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構 筑波研セ
-
高橋 健司
技術研究組合超先端電子技術開発機構
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