下面が加熱されたダクト内における層流縦渦列の形成過程
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
下面が加熱され上面が冷却されている水平平行平板を有するアスペクト比16のダクト内の層流共存対流場で発生する縦渦列の形成過程について, 流れの可視化実験および数値解析により考察した.最初の縦渦は側壁近傍の熱対流に誘起されて発生する.その渦の隣に第2番目の縦渦形成され, 以後下流に行くにしたがって, ダクト中央部に縦渦が形成される.このような3次元的流れ構造の発達過程には, <I>Gr/Re</I><SUP>2</SUP>をパラメータとする流れの相似則が存在する.最初に発生する側壁近傍の縦渦の発生機構に及ぼす側壁温度の影響を明らかにした.
著者
関連論文
- CSP 実装に用いる高アスペクトバンプめっき
- 活性汚泥プロセスにおける低級脂肪酸の蓄積とその糸状微生物に及ぼす影響
- 活性汚泥の糸状細菌に及ぼす硝化の影響
- 氷潜熱蓄熱用管型リキッドアイス製造器の開発 (注目される開発技術)
- 密度成層乱流の数値解析 (流れの数値解析と化学装置設計)
- 晶析操作における測定技術と問題点 (日本の晶析研究と世界の晶析技術)
- エタノール水溶液による飽和脂肪酸混合物の抽出および晶析
- ウエハーレベルCSPに用いる高アスペクトCUめっきの形状制御
- 急拡大円管内周期的非定常流れの不安定性と構造
- 浮力的不安定性により発生する縦渦列および横渦列に及ぼす重力流の影響
- バンプめっきの形状制御 : レジスト角度の影響
- バンプめっきの形状制御 : レジスト角度の影響
- 半導体高密度接続バンプの形状制御
- 壁面温度が水平横方向に急変する平行平板間における重力流に誘起された層流縦渦の流れ構造と伝熱機構
- U字管内での非水溶性不凍液を用いたリキッドアイスの生成挙動
- 直管および蛇管内での非水溶性不凍液を用いたリキッドアイス生成挙動
- 半導体高密度接続バンプとその形状制御--レジスト角度の影響
- 非水溶性不凍液を用いた管内リキッドアイスの生成
- 壁面温度が水平横方向に急変する平行平板間における重力流に誘起された層流縦渦列
- 半導体高密度接続金バンプの形状形成機構
- スパン方向に壁面温度が急変する平行平板間における縦渦列
- 半導体高密度接続バンプの形状制御 (数値解析と化学装置モデリング)
- 急拡大円管内の周期的非定常流
- 不安定及び共存密度成層乱流場における組織的乱流構造の形成過程
- 壁面温度が急変する水平平行平板間における共存密度成層乱流の構造
- 平行平板間内密度成層乱流境界層流れ場における組織的乱流熱プル-ムの形成過程
- 空隙率一定型分級槽晶析装置の設計計算
- 円筒型分級槽晶析装置の簡易設計法 : 結晶成長速度が過飽和度のn次で表される場合
- 壁面温度が急変する水平平行平板間における共存密度成層乱流の構造
- 平行平板間内密度成層乱流境界層流れ場における組織的乱流熱プルームの形成過程
- 安定および不安定成層が共存する成層乱流の発達過程
- スパン方向に温度が急変する平板上における密度成層乱流の構造
- 下面が加熱されたダクト内における層流縦渦列の形成過程
- 水平ダクト内層流共存対流場での縦渦列
- 流量が正弦関数的に変化する急拡大管内の流動状態