ビアフィル法による高密度ビルドアップサブストレートの作製
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概要
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ビルドアップ法は高密度化に適していることから、半導体用サブストレートに広く用いられている。このようなビルドアップサブストレートの更なる高密度化の手法として、電気めっき法により作製したフィルドビアによるスタッグドビアが注目されている。ビアフィリングを可能とするめっき浴から得られる銅薄膜は、従来用いられてきためっき浴から得られるめっき膜と結晶配向が異なるものの、電気特性がほぼ同様であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-08
著者
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中村 高士
凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所
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大久保 利一
凸版印刷株式会社総合研究所次世代基盤研究所
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浜田 哲郎
凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所
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大久保 利一
凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所
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石井 俊明
凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所
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