無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSVへのCuシード層形成(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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高アスペクト比(ARI5)のTSVをALD-Ru上に直接堆積した無電解銅めっき膜をシード層とし、ボイドフリーて完全充填した.無電解めっきにより形成したCuシード層はカバレジ比がPVD-Cuと比較し非常に優れており、またTSV埋め込み後のCuの表面膜厚は700nmとスパノタシードの場合よりも小さくなった。さらに無電解銅めっき膜はRuの触媒作用により堆積可能であり、密着性はPVD-Cu膜と変わらない高い値を有していた。これらの結果は無電解銅めっき技術が高アスペクト比TSVプロセスにおいて応用可能であると示している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-28
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