無電解めっきでのボトムアップ堆積による微細接続孔埋め込み(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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我々は今回、銅の無電解ボトムアツプ堆積(スーパーフィル)に世界で初めて成功した。本技術の主要なポイントは、極薄膜のICB-Pd触媒膜の使用と無電解めっき液への抑止剤であるSPSの適当量の添加である。無電解銅めっき膜の下地バリア膜への密着性はCMP工程に十分耐えるものであり、直径100nm深さ800nmの極微細ホールヘの銅埋め込みを無電解めっきのみにより達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-26
著者
-
新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
-
新宮原 正三
Hiroshima University Graduate School Of Adsm
-
新宮原 正三
広島大学先端物質科学研究科
-
坂上 弘之
広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻
-
高萩 隆行
広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻
-
小畑 涼
広島大学先端物質科学研究科
-
王 増林
広島大学先端物質科学研究科
-
八重樫 道
広島大学先端物質科学研究科
-
坂上 弘之
広島大学先端物質科学研究科
-
高萩 隆行
広島大学先端物質科学研究科
-
王 増林
鎮西師範大学 化学材料学院
-
高萩 隆行
広島大学大学院先端物質科学研究科
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