Si貫通ビアへの応用に向けた無電解めっき技術の研究(センサーデバイス,MEMS,一般)

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概要

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• 半導体メモリ等の大容量化にはシリコン基板を積層し、チップ間を貫通電極(TSV)で接続する三次元実装が不可欠な技術となっている。現在この貫通電極の多くはタングステンCVD法などにより形成されているが、今後はさらなる微細化の要求にがあるので、より低抵抗な銅を用いた貫通電極の形成が必要である。そこで本研究では、低温プロセスでありまた高アスペクト比貫通ビアホールへの埋め込み性に優れた、無電解めっきによる銅堆積法を提案する。各種添加剤を無電解めっき浴に加えることによる貫通ビア埋め込み特性を検討した結果、優れたコンフォーマル堆積特性が得られる条件が明らかとなった。

• 2009-07-23

著者

• 井上 史大

  関西大学大学院工学研究科

• 横山 巧

  関西大学大学院工学研究科

• 山本 和広

  情報通信研究機構未来ICT研究センター

• 田中 秀吉

  情報通信研究機構未来ICT研究センター

• 新宮原 正三

  関西大学大学院工学研究科

• 新宮原 正三

  Hiroshima University Graduate School Of Adsm

• 新宮原 正三

  広島大学先端物質科学研究科

• 井上 史大

  関西大学システム理工学部

• 田中 秀吉

  情報通信研究機構 未来ict研セ

• 井上 史大

  関西大学大学院理工学研究科

• 田中 秀吉

  情報通信研究機構

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