バリアメタル上の触媒なし無電解銅めっき技術
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概要
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TaNおよびWN上においては、触媒Pd吸着処理がなくとも無電解めっきにより銅が直接堆積可能であることを見出した。バリアメタルの前処理は、湿式エッチングにより表面自然酸化層を除去するのみであり、その後直ちに無電解めっき液に試料を浸漬することにより無電解銅めっき膜が形成される。無電解銅めっき液は、還元剤にグリオキシル酸、pH調整剤にTMAH、銅のソースに硫酸銅を用いており、シリコンプロセスに適合可能である。バリアメタル及び純銅板のめっき浴中での酸化還元電位を測定した結果、めっき条件下(70℃、pH12.5)にて、TaN及びWNの酸化還元電位は銅板よりも低いことを確認した。これは、無電解めっきの機構が置換めっきであることを意味している。また比較のため測定したTiNの酸化還元電位はCuよりも高く、また同様な方法での無電解銅堆積は見られなかった。さらに、TaN上への無電解銅めっき膜はCMPに耐える密着性を持ち、無電解めっきのみにより堆積してCMPにより形成した単層ダマシン配線の電気抵抗率は2.1μΩcmとほぼ実用に適する値を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-31
著者
-
新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
-
新宮原 正三
Hiroshima University Graduate School Of Adsm
-
新宮原 正三
広島大学先端物質科学研究科
-
坂上 弘之
広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻
-
高萩 隆行
広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻
-
八重樫 道
広島大学先端物質科学研究科
-
王 増林
鎮西師範大学 化学材料学院
-
新宮原 正三
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
王 増林
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
八重樫 道
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
高萩 隆行
広島大学大学院先端物質科学研究科
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